乐居财经吴文婷 3月6日消息，中国证监会于近日披露对苏州锴威特半导体股份有限公司（以下简称“锴威特”）注册阶段问询问题，要求其就技术先进性及市场竞争力等问题进行说明。

据乐居财经《预审IPO》查阅招股书，2019年-2021年，锴威特实现营业收入分别为1.07亿元、1.37亿元、2.1亿元；归属于母公司所有者的净利润分别为933.81万元、-1966.86万元、4847.72万元。

相较行业内其他可比公司，锴威特的产品收入结构相对单一，主要集中于平面MOSFET产品。报告期内，锴威特的平面MOSFET产品实现收入分别为9170.34万元、11829.19万元、16878.04万元，占同期主营业务比例分别为86.71%、88.39%、83.07%。

不过，半导体行业技术迭代速度较快，随着新技术新材料的发展，锴威特的平面MOSFET产品或存替代风险。

虽然平面型MOSFET凭借参数一致性好、压覆盖范围广等优点被广泛应用。但在中低压端，沟槽型MOSFET凭借热稳定性好，损耗低等优点，与平面型MOSFET存在竞争关系；在高压端，以频率超高、损耗极低为优点的超结MOSFET也与平面型MOSFET存在竞争关系。

对此，锴威特在招股书中坦言，如因新技术的发展使沟槽型MOSFET和超结MOSFET的压覆盖更宽且相关量产工艺成熟，则平面MOSFET与两类MOSFET的市场竞争可能加剧，存在市场空间被挤压的风险。

锴威特成立于2015年，主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务。公司坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，主要产品包含功率 器件及功率IC两大类。